一种新型900MHz CMOS低噪声放大器的设计

来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：haobishuiduo

【摘要】

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对两种低噪声放大器(LNA)的构架进行了比较,详细推导了共源LNA的噪声系数与输入晶体管栅宽的关系及优化方法,设计了一种采用0.6 μ m标准CMOS工艺,工作于900MHz的新型差分低

【作者】

：

危长明陈迪平王镇道陈永洁

【机构】

：

湖南大学应用物理系

【出处】

：

半导体技术

【发表日期】

：

2004年1期

【关键词】

：

CMOS 低噪声放大器噪声系数射频集成电路 low noise amplifier noise optimization RF integrated c

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对两种低噪声放大器(LNA)的构架进行了比较,详细推导了共源LNA的噪声系数与输入晶体管栅宽的关系及优化方法,设计了一种采用0.6 μ m标准CMOS工艺,工作于900MHz的新型差分低噪声放大器.在900MHz时,噪声系数为1.5 dB的情况下可提供22.5 dB的功率增益,-3dB带宽为1 50MHz,S11达到-38dB,消耗的电流为5mA.

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