低温吸杂新技术

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随着DRAM换代 ,要求必须延长数据保持时间、减小P N结漏电流。因此 ,NEC研究了从器件活性层区域去除产生漏电流的重金属污染元素吸杂技术。该技术是 :从生产线上混入的重金属污染元素可充分扩散至吸杂位置 ,而且高效吸杂。结果 ,将缓冷吸杂热处理和多晶硅衬底、密封衬 With the replacement of DRAM, it has been required to extend the data hold time and reduce the P N junction leakage current. As a result, NEC investigated the removal of heavy metal contaminated elements from the active region of the device by removing the leakage current. The technology is: from the production line mixed with heavy metal pollution elements can be fully diffused to gettering position, and efficient gettering. As a result, the poly-Si substrate and the sealing liner are annealed and annealed
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