论文部分内容阅读
采用溶胶一凝胶（sol-gel）工艺直接在掺锡氧化铟（IT0）玻璃衬底上制备生长（Pb0.92La0.08）（Zr0.53Ti0.47，）O3（PLZT）薄膜，研究不同的退火温度对PLZT薄膜生长行为、电性能及光学性能的影响。结果表明，经650℃退火PLZT薄膜具有较好矫顽场强（55kv／cm）和剩余极化强度（38μC／cm2），薄膜的漏电流可达最低值（7．1hA），薄膜具有较好的介电性及透光性。