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考虑到寿命不等时的双注入效应、载流子寿命，特别是少子空穴寿命的变化、电导调制效应、双注入空间电荷限制效应等因素，对静电感应晶闸管（Static Induction Thyristor，简称SITH）在正向阻断态的整个I—V特性进行了分段物理分析，给出了理论解释并进行了计算，得出的结论与实验观测结果相吻合。