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在工作气压为1．9Pa的氩氧气混合气氛中，改变氩氧的流量比和基片温度，采用射频反应磁控溅射法在不锈钢基片上制备了二氧化硅薄膜试样，并对薄膜的微观表面形貌和薄膜的亲水性进行表征．结果表明，在氩氧分压比为6：4和基片温度为90℃时制备的SiO2薄膜亲水性能最佳．
Ar／O2比和基片温度对射频反应磁控溅射法制备钢基Si02薄膜亲水性的影响
【摘 要】
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在工作气压为1．9Pa的氩氧气混合气氛中，改变氩氧的流量比和基片温度，采用射频反应磁控溅射法在不锈钢基片上制备了二氧化硅薄膜试样，并对薄膜的微观表面形貌和薄膜的亲水性进行表
【机 构】
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三明学院物理与机电工程学院
【出 处】
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洛阳师范学院学报
【发表日期】
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2004年期
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