Growth Kinetics of Silicon Carbide Film Prepared by Heating Polystyrene/Si(111)

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原文如此,电影被在不同温度在正常压力氩空气加热 polystyrene/Si (111 ) 准备。这些电影被 X 光检查衍射调查,扫描电子显微镜学, X 光检查光电子光谱学和 Fourier 变换红外线的吸收大小。厚度原文如此,电影从 FTIR 系列被计算。生长过程的生长动力学原文如此,电影也被调查。厚度原文如此,与增加生长温度为 1 h 种的电影在三个温度范围有不同趋势:慢慢地增加(1200 1250 ° C ) ,快速增加(1250 1270 ° C ) ,并且减少(1270 13
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