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提出并实现一种基于薄膜工艺的陶瓷P波段大功率小型化3dB宽边耦合电桥:利用薄膜光刻工艺和混合微波集成电路MIC),采用螺旋形的宽边耦合结构,设计制作了一款陶瓷大功率小型化低插损的3dB电桥。陶瓷螺旋形宽边结构有助于实现3dB电桥的小型化和低插损。利用微波仿真软件,设计了该P波段大功率3dB电桥。最终尺寸仅为10mmx6nlmx0.8mm。经测试验证,该电桥在400MHz-81)MHz范围内实现3(IB紧耦合,插损(IL)〈0.15dB,驻波比(VSWR)〈1.3:1,该3dB电桥可承受功率超过2000W、