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提出并实现一种基于薄膜工艺的陶瓷P波段大功率小型化3dB宽边耦合电桥：利用薄膜光刻工艺和混合微波集成电路MIC），采用螺旋形的宽边耦合结构，设计制作了一款陶瓷大功率小型化低插损的3dB电桥。陶瓷螺旋形宽边结构有助于实现3dB电桥的小型化和低插损。利用微波仿真软件，设计了该P波段大功率3dB电桥。最终尺寸仅为10mmx6nlmx0．8mm。经测试验证，该电桥在400MHz－81）MHz范围内实现3（IB紧耦合，插损（IL）〈0.15dB，驻波比（VSWR）〈1．3：1，该3dB电桥可承受功率超过2000W、