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采用直流反应磁控溅射方法在Si（111）基底上沉积了氮化钛薄膜。研究了在溅射沉积过程中，改变腔体气压对所制备的薄膜结构及性能的影响。研究发现：在保持其它工艺参数不变的条件下，沉积的TiN薄膜在不同溅射气压下生成的物相不同，薄膜的主要成分是立方相TiN，薄膜的结晶均显示出明显的TiN（200）择优取向。在腔体气压为0．5Pa时出现的TIN（200）衍射峰最强、择优取向最明显。随着腔体气压的增加，薄膜厚度变小，而衍射峰则呈减弱的趋势，TiN薄膜的生长可能无择优取向。当腔体气压为0．35Pa时，膜层致密均匀，没