【摘 要】
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由于电路和工艺技术的不断进步,MOSRAM的密度仍在增加。特别是已经采用了几种新的电路技术,它们使高密度SRAM有低的速度功耗乘积。下面讨论的 32k×8位静态RAM包括一个与三
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由于电路和工艺技术的不断进步,MOSRAM的密度仍在增加。特别是已经采用了几种新的电路技术,它们使高密度SRAM有低的速度功耗乘积。下面讨论的 32k×8位静态RAM包括一个与三电平字线相结合的地址渡越激活电路,它在1MHz时产生7mW的激活功率和40mA的峰值电流。获得了45ns的地址存取时间。
As the circuit and technology continue to progress, MOSRAM density is still increasing. In particular, several new circuit technologies have been introduced that enable high density SRAMs to have low speed power products. The 32k x 8-bit static RAM discussed below includes an address transition activation circuit in combination with a three-level wordline that produces 7 mW of active power and 40 mA of peak current at 1 MHz. Obtained 45ns address access time.
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