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原料配比为n(TiC)∶n(Ti)∶n(Si)∶n(Al)=2∶1∶1∶0.2的起始混合粉料在1 300~1 400 ℃温度下,30 MPa压力下热压2 h,和原料配比n(Ti)∶n(Si)∶n(Al)∶n(C)=3∶1∶0.2∶2的起始粉料经1 150~1 250 s放电等离子烧结都制得高纯致密Ti3SiC2块体材料.添加适量铝作助剂显著加快Ti3SiC2的反应合成.