【摘 要】
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报道了一种新型调Q微片激光器。首次提出了斜泵浦方案,实验中分别采用LD端面垂直泵浦和斜泵浦两种方式,结构简单紧凑。微片采用Nd∶YVO4作为工作物质,半导体可饱和吸收镜(SES
【机 构】
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中国科学院光电研究院,中国科学院大学
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报道了一种新型调Q微片激光器。首次提出了斜泵浦方案,实验中分别采用LD端面垂直泵浦和斜泵浦两种方式,结构简单紧凑。微片采用Nd∶YVO4作为工作物质,半导体可饱和吸收镜(SESAM)为调Q元件。在两种泵浦方式下,都获得了重复频率范围在千赫兹到兆赫兹的皮秒激光脉冲输出。以光纤耦合输出的808 nm LD作为泵浦源,在垂直泵浦的情况下,在420 m W抽运功率下,获得6.40 m W的1064 nm激光输出,脉冲宽度57.8 ps,对应单脉冲能量6 n J,x、y方向的光束质量因子分别为1.18、1.17。在斜泵浦的情况下,在550 m W抽运功率下,获得2.25 m W的1064 nm激光输出,脉冲宽度64.3 ps,对应单脉冲能量17 n J,x、y方向的光束质量因子分别为1.29、1.32。
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