【摘 要】
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近日,华润微电子有限公司(华润微电子)旗下的华润上华科技有限公司(华润上华)宣布,公司已成功开发出第三代0.18μm BCD工艺平台。新一代BCD工艺平台在降低导通电阻的同时,提
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近日,华润微电子有限公司(华润微电子)旗下的华润上华科技有限公司(华润上华)宣布,公司已成功开发出第三代0.18μm BCD工艺平台。新一代BCD工艺平台在降低导通电阻的同时,提升了器件的可靠性,降低了工艺成本,可覆盖7V-40V的宽工作电压范围,为电源管理IC的设计提供了有竞争力的工艺方案。华润上华第三代0.18μm BCD工艺基于大量的仿真和流片数据,对高压器件结构进行优化,将综合性能做到业界先进水平。其中30VnLDMOS的击穿电压达到50V,导通电阻仅为15mohm*mm^2,相比第二代0.18μ
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