《固体电子学研究与进展》2004年(第24卷)第1~4期总目次

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fO2 高K栅介质薄膜的电学特性研究韩德栋 康晋锋 刘晓彦 韩汝琦  1  1…………………………………………应变Si1 xGex 沟道PMOSFET空穴局域化研究杨 荣 罗晋生 屠 荆  1  4……………………………………………n沟肖特基势垒隧穿晶体管特性研究杜 刚 刘弋波 孙  fO2 High K Gate Dielectric Film HAN Didong, KANG Jinfeng, LIU Xiaoyan, HAN Ruqi 1 1 .................................................... Study on Hole Localization of Strain Si1 xGex Channel PMOSFET Yang Rong Luo Jinsheng Tu Jing 1 4 ................................................... n-channel Schottky Barrier Tunneling Transistor Characteristics DU Gang LIU Yi BO Sun
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