【摘 要】
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用真空电弧熔炼法制备了Gd5Si4-xInx（x=0.0,0.5,0.8,1.2）系列化合物.室温粉末X线衍射分析表明,该系列化合物均为正交Gd5Si4型晶体结构,并含有少量六角Gd5Si3杂相.磁性测量结果
【机 构】
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内蒙古师范大学物理与电子信息学院内蒙古自治区功能材料物理与化学重点实验室
【出 处】
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内蒙古师范大学学报：自然科学汉文版
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目（50661004）, 内蒙古自然科学基金重点项目（20080404Zd01）
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用真空电弧熔炼法制备了Gd5Si4-xInx（x=0.0,0.5,0.8,1.2）系列化合物.室温粉末X线衍射分析表明,该系列化合物均为正交Gd5Si4型晶体结构,并含有少量六角Gd5Si3杂相.磁性测量结果表明,Gd5Si4-xInx（x=0.0,0.5,0.8,1.2）系列化合物的居里温度分别为345,340,330,326K.当外加磁场在0～1.5T范围内变化时,居里温度附近的最大等温磁熵变分别为2.9,0.8,0.6,0.6J/（kg·K）.
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