【摘 要】
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使用化学沉积方法，在600℃温度下，成功制备锰钴镍（MnxCoyNi3-x-yO4（MCN）薄膜．传统的固熔烧结工艺合成MCN材料需要的温度条件约为1050—1200℃，这一温度相比，本文的方法使合成温度降低
【机 构】
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中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室
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使用化学沉积方法，在600℃温度下，成功制备锰钴镍（MnxCoyNi3-x-yO4（MCN）薄膜．传统的固熔烧结工艺合成MCN材料需要的温度条件约为1050—1200℃，这一温度相比，本文的方法使合成温度降低了许多．随着退火后处理温度从600℃升高到900℃，MCN薄膜的晶粒尺寸大小从20nm增大到50nm．同时还利用红外椭偏光谱测量获得MCN薄膜的介电常数和吸收系数．
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