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引入杂质激发态因素,建立新的SiC MOSFET反型层电荷模型.利用数值方法求解一维泊松方程,研究激发态对反型层电荷的影响.结果显示,在杂质激发态的作用下,反型层的电子面密度降低,并且杂质激发态主要影响SiC MOSFET的亚阈区特性.杂质激发态对SiC MOSFET反型层电荷的影响依赖于温度、掺杂浓度和杂质电离能.存在激发态影响最大的温度点,且其随掺杂浓度和电离能的增加而提高.