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本文在探索半导体器件辐射损伤效应与机理的基础上，研究了通过器件的优化设计达到抗辐射加固性能要求的有效方法．基于0．18μmCMOS工艺条件，利用DVINCI三维器件模拟软件，建立了具有较好抗辐射性能的FD—SOI／MOSFET器件的加固模型，并提出了一种新型有源区裁剪（ARC）的双多晶硅栅结构晶体管．通过模拟辐射环境下器件的工作情况，证明该种结构具有很强的抗总剂量辐射的能力．