【摘 要】
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在表面结构最优的基底上制备的介孔硅基底WO3基薄膜气敏微传感器,并对其进行表面结构,电学性能和气敏性能分析。在室温下介孔硅基氧化钨薄膜气敏元件对体积分数为20×10-6的N
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在表面结构最优的基底上制备的介孔硅基底WO3基薄膜气敏微传感器,并对其进行表面结构,电学性能和气敏性能分析。在室温下介孔硅基氧化钨薄膜气敏元件对体积分数为20×10-6的NH3的灵敏度可达到18.2,50oC灵敏度为1.35。
The mesoporous silicon substrate WO3-based thin-film gas sensor was fabricated on the substrate with the best surface structure. The surface structure, electrical properties and gas-sensing properties were also analyzed. At room temperature mesoporous silicon-based tungsten oxide gas sensor sensitive to NH 3 volume fraction of 20 × 10-6 up to 18.2, 50oC sensitivity of 1.35.
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