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将多孔硅浸入含贵金属盐的HF溶液20S，制备了Ag，Au，Pd和Pt的沉积层．AFM形貌显示，这4种贵金属都能在多孔硅上直接沉积，但Pt的沉积量比其他3种少．SEM图及能谱（Energy dispersive X-ray spectrometer, EDS）分析显示，沉积层优先生长在孔边上，孔边上的沉积量约是孔底的4．6倍．电化学方法分析显示，Pd和Pt，Ag和Au的沉积层分别具有类似的开路电位和交流阻抗特性，其中Pd层的溶出电流比其他3种大1个数量级，而阻抗比其他小1个数量级，说明Pd层与硅基底的结合程