【摘 要】
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效率陡降严重影响A1GaN基深紫外发光二极管(DUV LED)的输出性能,也是近年来DUVLED的一个瓶颈性问题.对常规电子阻挡层(P-EBL)和A1组分三角形渐变P-EBL两种结构DUV LED进行了数值分析.研究了能带、电子电流、空穴浓度、电场、内量子效率、输出功率和自发辐射光谱的分布特性.模拟结果表明,在260 mA电流注入时,相比常规P-EBL结构,A1组分三角形渐变P-EBL结构DUV LED的效率陡降减小了5.85％,改善了DUV LED输出性能.根据数值模拟和分析,器件输出性能改善的原因是A
【机 构】
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海南师范大学物理与电子工程学院,海南海口571158;海南师范大学海南省激光技术与光电功能材料重点实验室,海南海口571158
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效率陡降严重影响A1GaN基深紫外发光二极管(DUV LED)的输出性能,也是近年来DUVLED的一个瓶颈性问题.对常规电子阻挡层(P-EBL)和A1组分三角形渐变P-EBL两种结构DUV LED进行了数值分析.研究了能带、电子电流、空穴浓度、电场、内量子效率、输出功率和自发辐射光谱的分布特性.模拟结果表明,在260 mA电流注入时,相比常规P-EBL结构,A1组分三角形渐变P-EBL结构DUV LED的效率陡降减小了5.85％,改善了DUV LED输出性能.根据数值模拟和分析,器件输出性能改善的原因是A1组分三角形渐变P-EBL结构提高导带势垒高度和增强空穴在P型区域获得的动能,从而减小电子泄漏,并提高了空穴注入效率.
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