CMOS图像传感器像素中MOSFET晶体管的栅感应噪声原理及分析

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yinnahappy

【摘要】

：

提出一种CMOS图像传感器像素中MOSFET晶体管的栅感应噪声原理．分析表明MOSFET工作于强反型区的栅感应噪声比工作于亚阈值区明显，但当施加在栅极电压达到3V时，随着ω／ωT比值的增

【作者】

：

金湘亮陈杰仇玉林

【机构】

：

中国科学院微电子中心

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2003年9期

【关键词】

：

栅感应噪声像素MOSFET 改进的APS CMOS图像传感器 gate-induced noisepixel MOSFETimproved photodiod

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提出一种CMOS图像传感器像素中MOSFET晶体管的栅感应噪声原理．分析表明MOSFET工作于强反型区的栅感应噪声比工作于亚阈值区明显，但当施加在栅极电压达到3V时，随着ω／ωT比值的增加，MOSFET工作于亚阈值区的栅感应噪声比工作于强反型区明显．同时详细分析了有源像素(APS)中的RESET晶体管的栅感应噪声的影响并提出抑制栅感应噪声的电路．

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