【摘 要】
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使用真空热蒸镀法制备的OLED器件,利用不同厚度的PrF3作阳极缓冲层,并和未加缓冲层的器件进行了对比。实验结果表明：0.5 nm厚的PrF3阳极缓冲层可以有效增强OLED器件的空穴注入
【机 构】
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中国科学院激发态物理重点实验室长春光学精密机械与物理研究所,中国科学院研究生院
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使用真空热蒸镀法制备的OLED器件,利用不同厚度的PrF3作阳极缓冲层,并和未加缓冲层的器件进行了对比。实验结果表明：0.5 nm厚的PrF3阳极缓冲层可以有效增强OLED器件的空穴注入能力,增强电子和空穴的浓度平衡,优化器件的电致发光特性。器件的最大电流效率为4.9 cd/A,最大亮度为33 600 cd/m2,分别是未加入缓冲层的常规器件（3.7 cd/A,最大亮度为12 230 cd/m2）的1.3倍和2.75倍。
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