用正电子湮没谱研究半导化掺杂的ZnO压敏陶瓷

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用正电子湮没技术研究了半导化掺杂的ZnO压敏陶瓷,发现在配方配方ZnO-Bi2O3-TiO2-Co2O3-MnO2中掺杂半导化添加剂Z、ZN、ZCr和ZT后,商谱谱峰依次降低;正电子寿命依次增加。其中掺杂ZT的样品三电性能参数比较理想,分别为E1mA=17V/mm,α=18,IL=37。 Positron annihilation technique was used to study the semiconducting doped ZnO varistor ceramics. It was found that the commercial spectra of ZnO-Bi2O3-TiO2-Co2O3-MnO2 doped with semiconducting additives Z, ZN, ZCr and ZT The peak decreases in turn; the positron lifetime increases in turn. Among them, the three electrical parameters of ZT-doped samples are ideal, which are E1mA = 17V / mm, α = 18 and IL = 37 respectively.
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