【摘 要】
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文章介绍了高阻硅衬底集成无源器件技术,分析了功分器等效集总参数模型,并设计了一款9.5-9.9GHz的高阻硅衬底集总参数Wilkinson功分器。基于ADS软件,可对功分器版图进行仿真
【机 构】
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中国电子科技集团公司第三十八研究所,
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文章介绍了高阻硅衬底集成无源器件技术,分析了功分器等效集总参数模型,并设计了一款9.5-9.9GHz的高阻硅衬底集总参数Wilkinson功分器。基于ADS软件,可对功分器版图进行仿真优化设计。该款功分器尺寸<1×0.5mm2,插损<0.5d B、隔离度>20d B、回波损耗>20d B。由于采用高阻硅衬底集成无源器件技术,功分器尺寸小、性能优越,且具有批量生产优势,应用前景广泛。
This paper introduces the technology of high impedance silicon substrate integrated passive device, analyzes the equivalent lumped parameter model of the power divider, and designs a Wilkinson power divider with 9.5-9.9GHz high resistance silicon substrate lumped parameter. Based on ADS software, the power splitter layout can be simulated and optimized. The power splitter size <1 × 0.5mm2, insertion loss <0.5d B, isolation> 20d B, return loss> 20d B. As the use of high-impedance silicon substrate integrated passive device technology, power splitters small size, superior performance, and has the advantages of mass production, a wide range of applications.
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