【摘 要】
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本文提出了关系到ISFET不稳定性的三个原因:(一)Si_3N_4膜表面或其缓冲溶液中。停留的羟基团是非常活泼,容易增加或失掉电子.这是氢离子敏FET传感器长期不稳定性的原因.(二)氢离子敏FET传感器的稳定性,随
【机 构】
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中国科学院半导体研究所传感技术国家重点实验室
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本文提出了关系到ISFET不稳定性的三个原因:(一)Si_3N_4膜表面或其缓冲溶液中。停留的羟基团是非常活泼,容易增加或失掉电子.这是氢离子敏FET传感器长期不稳定性的原因.(二)氢离子敏FET传感器的稳定性,随着ISFET的制作过程中沉淀条件而变化,这也是ISFET不稳定性的另一原因.(三)缓冲溶液的pH随着测量过程和时间而变化,这也助长了氢离子敏FET传感器的不稳定性,但不是pH-ISFET本身的不稳定性原因.我。们利用了再调整和控制羟氨基团比率的技术来提高ISFET的稳定性.这种改进稳定特性的技术
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