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对双极晶体管结构和关键性能参数进行了研究和设计，并进行了流片测试。介绍了器件工艺步骤及其采用的工艺结构。对器件的特征频率、Gummel曲线、发射极电子和空穴浓度、CE击穿特性模拟、β-Ic曲线等关键参数进行了模拟。模拟器件最高特征频率为10GHz，流片测试最高特征频率为9．5GHz。
一款微波双极晶体管的设计和实现
【摘 要】
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对双极晶体管结构和关键性能参数进行了研究和设计，并进行了流片测试。介绍了器件工艺步骤及其采用的工艺结构。对器件的特征频率、Gummel曲线、发射极电子和空穴浓度、CE击穿
【机 构】
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聊城大学东昌学院
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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2008年9期
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