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介绍了在真空下用引上法（ＣＺ）生长氟化锂（ＬｉＦ）单晶体的一些情况。采用该方法生长出的晶体，其单晶率优于坩埚下降法（ＢＧ），晶体的质量和利用率大幅度提高。
提拉法生长大尺寸氟化锂单晶体的研究
【摘 要】
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介绍了在真空下用引上法（ＣＺ）生长氟化锂（ＬｉＦ）单晶体的一些情况。采用该方法生长出的晶体，其单晶率优于坩埚下降法（ＢＧ），晶体的质量和利用率大幅度提高。
【机 构】
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上海光学仪器研究所,200093
【出 处】
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光学仪器
【发表日期】
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1995年3期
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