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聚酰亚胺,四甲基氢氧化胺对Si—SiO2界面的影响
聚酰亚胺,四甲基氢氧化胺对Si—SiO2界面的影响
来源 :半导体杂志 | 被引量 : 0次 | 上传用户:shaoyan_8
【摘 要】
:
通过几组对比实验,揭示了聚酰亚胺、四甲基氢氧化胺对Si-SiO2界面的影响:聚酰亚胺在Si-SiO2界面上引入正电荷,四甲基氢氧化胺则在Si-SiO2界面上引入负电荷。
【作 者】
:
张济龙
【机 构】
:
西南农业大学基础科技学院物理系
【出 处】
:
半导体杂志
【发表日期】
:
1998年2期
【关键词】
:
界面
硅
二氧化硅
聚酰亚胺
四甲基氢氧化胺
interface Flatband voltage
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通过几组对比实验,揭示了聚酰亚胺、四甲基氢氧化胺对Si-SiO2界面的影响:聚酰亚胺在Si-SiO2界面上引入正电荷,四甲基氢氧化胺则在Si-SiO2界面上引入负电荷。
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