SnO2—Ag-SnO2结构元件室温下对H2S的敏感特性研究

来源 :传感技术学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xiaosongshu2009
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以SnCl4和O2为源物质,采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)和浸渍法掺Ag技术制备了SnO2-Ag-SnO2结构薄膜,在20℃下该结构薄膜对H2S具有良好的气敏特性,即高灵敏度、良好的选择特性和开关式响应特性。
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