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图案化多孔硅是微电子、微机械、光电子器件的重要组成部分。实验以含Si3N4保护层的光刻单晶硅片为基底，采用电化学阳极氧化法制备图案化厚膜多孔硅，分析阳极氧化前后Si3N4保护层表面形貌变化特征和光刻尺寸对图案化多孔硅宽度、膜层厚度的影响规律，表征图案化多孔硅的结构、组成与发光性能。结果表明，氧化前Si3N4保护层局部区域出现枝晶，阳极氧化后形成不均匀孔状结构；制备的图案化多孔硅膜厚62～83μm，其横向扩展程度和膜层厚度均随光刻尺寸增大呈减小趋势；图案化多孔硅微结构含大量不规则裂纹和硅柱，新鲜制备的表面含