【摘 要】
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针对非晶铟镓锌氧薄膜晶体管（a-IGZOTFT）的钼/铜源漏电极开展研究。实验证明,单层Mo源漏电极与栅绝缘层之间的粘附性好、表面粗糙度较小、电阻率较大,而单层Cu源漏电极与栅绝缘
【基金项目】
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国家自然科学基金(61474075)资助项目~~
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针对非晶铟镓锌氧薄膜晶体管（a-IGZOTFT）的钼/铜源漏电极开展研究。实验证明,单层Mo源漏电极与栅绝缘层之间的粘附性好、表面粗糙度较小、电阻率较大,而单层Cu源漏电极与栅绝缘层之间的结合性差且Cu原子扩散问题严重、表面粗糙度较大、电阻率较小。为了实现优势互补,我们设计了双层Mo（20nm）/Cu（80nm）源漏电极,并采用优化工艺制备了包含该电极结构的a-IGZOTFT。器件具有良好的电学特性,场效应迁移率为8.33cm^2·V^-1·s^-1,阈值电压为6.0V,亚阈值摆幅为2
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