【摘 要】
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基于严格的矢量耦合波方法，结合纳米级光栅实际制作工艺，定量分析了在13．4nm软X射线（TE偏振）正入射条件下，光栅材料、厚度、占空比、梯形浮雕底角大小等因素对光栅一级衍射效率的影
【机 构】
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中国科学院上海应用物理研究所,中国科学院研究生院
【基金项目】
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上海同步辐射装置干涉光刻实验站项目资助课题.致谢感谢中国科学院微电子所的谢常青老师和丹麦科技大学的Peixiong Shi老师在光栅优化设计和相关工艺的探讨中给予的极大帮助.
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基于严格的矢量耦合波方法，结合纳米级光栅实际制作工艺，定量分析了在13．4nm软X射线（TE偏振）正入射条件下，光栅材料、厚度、占空比、梯形浮雕底角大小等因素对光栅一级衍射效率的影响。结果表明，在此波段处．Si3N4、Cr、Au浮雕的相位作用对光栅衍射起重要影响，其中非金属材料Si3N4比金属材料Cr、Au的相位作用更明显。最后优化得到了用Si（或Si3N4）做衬底的Si3N4、Cr、Au光栅，分析结果显示，其一级衍射效率优于目前用于13．4nm软X射线干涉光刻的Cr、Si3N4复合光栅。
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