用正电子研究Ⅲ-V族化合物半导体的缺陷谱

来源 :武汉大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户:renyuh
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简要介绍了本科研组近年来用正电子湮没谱学研究Ⅲ-V族化合物半导体缺陷的最新进展.包括原生样品中缺陷的种类、大小、电荷态、负离子缺陷、缺陷与杂质的相互作用、辐照以及形变引入的缺陷等,研究表明.在原生半导体材料中存在各种缺陷.经过辐照和形变后有单空位、双空位及孔洞形成;在重掺杂材料中,空位还补偿载流子、使载流子发生饱和.
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