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研究了封装以及ESD保护电路对低噪声放大器的性能影响。通过详尽推导电感负反馈共发射极低噪声放大器的输入阻抗、跨导、电压增益以及噪声系数的表达式，讨论并设计了一个应用于超高频接收芯片的低噪声放大器。芯片采用低成本的0．8μm BiCMOS工艺实现，封装形式为SOIC28。经过测量，所得到的参数与讨论及仿真值很好吻合，验证了设计以及优化方法的正确性。