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在非晶半导体超晶格喇曼谱中,从类光学模(TO-Like mode)的半高峰(陡边)宽(HWHM )及峰位置可得到有关微结构的一系列参量:如键角的变化、靠近界面附近处每个键的平均畸变能、层间界面处的张力等物理量、将两组不同调制参数的超晶格情况对比,可更清楚地理解其结构,使人们对非晶硅超晶格的微结构有进一步的了解.