【摘 要】
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采用真空蒸发沉积,在室温下制备了PTCDA/p-Si有机/无机异质结样品.对其表面用原子力显微镜(AFM)研究表明,PTCDA薄膜具有岛状形态结构.经X光电子能谱(XPS)分析表明,在PTCDA分
【机 构】
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兰州大学物理科学与技术学院,甘肃联合大学数学与信息学院
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采用真空蒸发沉积,在室温下制备了PTCDA/p-Si有机/无机异质结样品.对其表面用原子力显微镜(AFM)研究表明,PTCDA薄膜具有岛状形态结构.经X光电子能谱(XPS)分析表明,在PTCDA分子中,C原子有两种束缚能态,其结合能力分别为285.3 eV和288.7 eV;O原子与C原子相邻,一些O原子通过双键与C原子相结合,另外的O原子则通过单键与2个C原子相结合.经Ar+束溅射研究界面电子状态表明,随溅射时间增加,C 1s和O 1s峰逐渐减弱,而Si 2p和Si 2s峰渐渐增强.C 1s和Si 2p
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