【摘 要】
：
采用RF-PECVD系统在SOI材料上制作α-Si:H TFT,纳米非晶硅薄膜厚度为98 nm,沟道长宽比为10 μm/40μm.用扫描电子显微镜、X射线衍射和拉曼光谱等检测方法对不同退火温度下的
【机 构】
：
黑龙江大学电子工程学院重点实验室,哈尔滨,150080
论文部分内容阅读
采用RF-PECVD系统在SOI材料上制作α-Si:H TFT,纳米非晶硅薄膜厚度为98 nm,沟道长宽比为10 μm/40μm.用扫描电子显微镜、X射线衍射和拉曼光谱等检测方法对不同退火温度下的氢化非晶硅薄膜形貌进行了表征.采用CMOS工艺、各向异性腐蚀溶液EPW、射频溅射技术和等离子体刻蚀等工艺实现α-Si:H TFT的制作.在给出一般α-Si:H TFT特性分析和实验结果的基础上,又采用建模方式对α-Si:H TFT出现的负阻特性进行研究.提取纳米氢化非晶硅薄膜与栅氧化层界面处能带图的结果表明,在靠近漏端0.5μm范围内,漏压由6V增加到30 V时,随漏压的增加,价带能量逐渐下降.研究结果表明,距离漏端0.5 μm范围内的压降导致负阻特性产生.
其他文献
请下载后查看，本文暂不支持在线获取查看简介。
Please download to view, this article does not support online access to view profile.
在对T型接口球墨铸铁管进行安装的时候,会出现一些问题,所以要根据安装施工的技术要点进行安装工作,这样才有利于更好地进行工作.本文对T型接口球墨铸铁管安装施工的技术要点
虽说小说和电影是两种不同的艺术形式，但是，从电影诞生之日起就受到小说的极大影响。在电影的百年历史长河中，中外的电影制作人以小说为母体，从中吸取养料制作了无数难以超越的经
1927年9月间,周恩来统率南昌起义部队,经汀州来到上杭城。刚吃罢午饭,周恩来不顾连日来长途跋涉的疲劳,接见了中共福建省委负责人,并作了关于如何开展武装斗争和支援起义军的
简介《中国书法·翰墨天下》(月刊)是《中国书法》的下半月刊,适用于广大的书法家与书法爱好者,尤其适合在校师生、部队官兵等不同社会群体。内容包括近现代名家、人物、聚焦
各位代表、同志们: 首先我代表省科技厅、教育厅向这次会议和今天受到表彰的交通科技教育工作先进单位、优秀科技、教育工作者表示祝贺！对长期从事交通科技教育工作的科教人
近几年新课改在教学中得到广泛实施,这个过程中各级教育部门、各学校以及所有教职人员也在不断总结经验和改变教学,通过新课改的实施意识到,除了要关注孩子的学习成绩还应该
快速阅听时代,传统的新闻耕作方式,在新媒体技术影响下,不断更替蜕变,促成新式内容生产理念的演进。
In the era of rapid reading, the traditional method of news farmin