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基于表面等离子体共振(SPR)技术,设计了一种具有较高调制系数的金属纳米线阵列电光调制器结构.通过改变驱动电压使反射谱的反射率发生变化,实现电光调制.利用时域有限差分(FDTD)法对金属纳米线阵列层和缓冲介质层的参数进行优化配置,并研究了其结构参数对反射谱反射率的影响。结果表明:当金属纳米线直径为34 nm、缓冲介质层厚度为1600 nm时,电光调制器的模式耦合能力达到最强;随着驱动电压的逐渐增加,反射光谱的全吸收峰出现明显的右移;通过调节加载在电极上的驱动电压可实现电信号对光信号的电光调制.