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采用正电子湮没寿命谱方法，对空间微重力及重力条件下生长的碲镉汞(MCT)材料中的微观缺陷进行了研究。结果表明，在空间微重力条件下生长的MCT晶体中，其空位型缺陷浓度低于地球上有重力条件下生长的晶体，并且缺陷浓度沿轴向的分布比较均匀。
微重力生长HgCdTe材料的微观缺陷
【摘 要】
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采用正电子湮没寿命谱方法，对空间微重力及重力条件下生长的碲镉汞(MCT)材料中的微观缺陷进行了研究。结果表明，在空间微重力条件下生长的MCT晶体中，其空位型缺陷浓度低于地球上
【机 构】
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中国科学院高能物理研究所 北京100080中国空间技术研究院兰州物理研究所 兰州730000;Lanzhou Institute of Physics, Chinese Academy of Spac
【出 处】
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核技术
【发表日期】
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2000年6期
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