【摘 要】
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本文对硅－硅键合中的关键因素进行了讨论，指出有效的键合必须以良好的原始片平整度、有效的清洗和预键合以及充分的退火处理为基础。在应用方面，对于电阻率为１７Ω·ｃｍ的有源层，得到了
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本文对硅－硅键合中的关键因素进行了讨论，指出有效的键合必须以良好的原始片平整度、有效的清洗和预键合以及充分的退火处理为基础。在应用方面，对于电阻率为１７Ω·ｃｍ的有源层，得到了耐压大于４００Ｖ的ＶＤＭＯＳ器件。
This paper discusses the key factors in silicon-silicon bonding and points out that effective bonding must be based on good primary film flatness, effective cleaning and pre-bonding, and adequate annealing. In terms of applications, VDMOS devices with a withstand voltage of more than 400V were obtained for the active layer with a resistivity of 17 Ω · cm.
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