【摘 要】
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用水平法生长成掺Si的无位错GaAs单晶。位错密度低于500厘米-2,电子浓度1-6×1013厘米-3。 水平法生长掺Si-GaAs单晶的主要困难是熔体与石英舟的沾润;其结果有二:（1）引入应
【机 构】
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中国科学院半导体研究所GaAs单晶组营口火柴厂新产品车间
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用水平法生长成掺Si的无位错GaAs单晶。位错密度低于500厘米-2,电子浓度1-6×1013厘米-3。 水平法生长掺Si-GaAs单晶的主要困难是熔体与石英舟的沾润;其结果有二:（1）引入应力,得不到低位错的晶体;（2）易生孪晶,单晶率很低。 采用三温区法抑制Si与石英的反应,结合新合成工艺可以完善地解决沾润问题。注意选择籽晶的方向,可以减少孪晶的发生率。 克服上述问题后,用籽晶法可以生长成无位错的掺Si-GaAs晶体。
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