【摘 要】
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分别采用3Me V和10Me V的质子对Ga N基HEMT（High Electron Mobility Transistor）器件进行辐照.实验发现：低注量辐照引起了体材料载流子浓度增加,高注量辐照引起了HEMT器件漏电流
【机 构】
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长安大学电子与控制工程学院,西安电子科技大学微电子学院,西安理工大学材料科学与工程学院
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分别采用3Me V和10Me V的质子对Ga N基HEMT（High Electron Mobility Transistor）器件进行辐照.实验发现：低注量辐照引起了体材料载流子浓度增加,高注量辐照引起了HEMT器件漏电流下降,跨导减小,阈值电压显著退化的结果.通过分析发现辐射感生受主缺陷引起的2DEG浓度降低是上述器件退化的主要原因.此外基于实验结果,采用辐射感生受主缺陷退化模型仿真并计算了HEMT器件主要参数随受主浓度的退化规律,仿真结果与实验结果有较好的一致性.本文实验结果也表明场板结构和Si N
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