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本文采用直接熔渗法制备二硅化钼-碳化硅(MoSi2-SiC)复合材料。以碳化硅(SiC)(粒度为0~2.5 mm、≤240目)为主要原料,水溶性树脂为结合剂,经混炼、成型、烘干后得到SiC坯体,再用二硅化钼(MoSi2)(D50=3μm)粉末掩埋SiC坯体,在真空条件下2000℃保温3 h进行熔渗烧结,制备出MoSi2-SiC复合材料。采用阿基米德排水法研究了MoSi2-SiC复合材料的显气孔率、体积密度;采用三点抗弯法测试了MoSi2-SiC复合材料1400℃抗折强度;采用热线法测试了MoSi2-SiC