磁场能够控制晶体成长

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美国伊利诺州立Urbana-Champaign大学的John Walker教授及其同事们在研究锗和硅的几个合金的晶体成长实验时,发现了磁场对其晶体成长过程的明显效果。锗硅合金是很有发展前途的热电材料和光电材料,但在其晶体成长过程中由于锗的质量大约为硅的3倍之多,通常锗和硅在坩埚中的熔体会发生锗下沉到坩埚底部而难以制取浓度均匀的晶体。其重力还会将熔体对容器壁挤压以致在成长的晶体中造成许多缺陷、位错和接触应力。因此,他们在磁阻尼炉子中实验了这种锗硅合金晶体的成长过程,由于磁场防止了锗硅混合物的分离,从而制得了成分分布均匀的良好锗硅合金晶体。
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