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在 helicon 准备的电影挥动的硅氮化物(SiNx ) 嵌入的非结晶的硅 nanoparticles (Si NP ) 提高血浆的化学蒸汽免职(HWP-CVD ) 技术被学习。从散布调查的拉曼,我们决定扔的电影有在硅氮化物(nc-Si/SiNx ) 嵌入的硅 nanocrystals 的结构在某个氢冲淡数量的薄电影。光吸收系列的分析暗示 Si NP 被量尺寸效果影响并且有一个 indirect-band-gap 半导体的性质。进一步,在振荡器力量,和量监禁上考虑吝啬的 Si NP 尺寸和他们的分散的效