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本文介绍了一种采用Ar、N为保护气体的三步退火工艺及外延后吸杂工艺。实验中使用CZ单晶片。实验证明:经本征吸杂的硅片,外延层少子寿命可提高1个数量级以上,将吸杂片用于CMOS器件制作中,成品率提高15％以上,各项性能指标达到设计要求。
CMOS外延本征吸杂技术研究
【摘 要】
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本文介绍了一种采用Ar、N为保护气体的三步退火工艺及外延后吸杂工艺。实验中使用CZ单晶片。实验证明:经本征吸杂的硅片,外延层少子寿命可提高1个数量级以上,将吸杂片用于CMO
【机 构】
：
机械电子工业部东北微电子研究所; 机械电子工业部东北微电子研究所;
【出 处】
：
微处理机
【发表日期】
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2004年期
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