【摘 要】
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用低压化学气相沉积法制备ＴｉＯ２薄膜。研究表明，水的分压、沉积温度、基片材料均对沉积速率有影响。在硅片上镀膜，沉积温度相同而退火温度不同，则薄膜结构亦不同。当退火温度高于８５℃时
【机 构】
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太原理工大学化学工程与技术学院 山西太原030024
【出 处】
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Journal of Natural Gas Chemistry
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用低压化学气相沉积法制备ＴｉＯ２薄膜。研究表明，水的分压、沉积温度、基片材料均对沉积速率有影响。在硅片上镀膜，沉积温度相同而退火温度不同，则薄膜结构亦不同。当退火温度高于８５℃时，薄膜为纯金红石薄膜。
Preparation of TiO2 Thin Films by Low Pressure Chemical Vapor Deposition. Studies have shown that water partial pressure, deposition temperature, substrate material have an impact on the deposition rate. In the silicon coating, the same deposition temperature and annealing temperature is different, the film structure is also different. When the annealing temperature is higher than 85 ℃, the film is a pure rutile film.
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