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日本京都大学工学研究科教授木本恒畅在2014年7月4日召开的“新一代功率半导体的冲击：SiC从下一代走向现代”尖端技术论坛（主办：《日经电子》）上，以“超高电压应用SiC功率器件的发展”为题发表了演讲，介绍了日本学术振兴会的最尖端研究开发项目的成果。
“瞄准10年后”--引发电网变革的超高耐压器件
【摘 要】
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日本京都大学工学研究科教授木本恒畅在2014年7月4日召开的“新一代功率半导体的冲击：SiC从下一代走向现代”尖端技术论坛（主办：《日经电子》）上，以“超高电压应用SiC功率器件的发
【机 构】
：
中日技术产业信息网
【出 处】
：
浙江电力
【发表日期】
：
2014年8期
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