降低晶体管h_(FE)值的电子束辐照工艺的研究

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研究了辐照剂量、剂量率、退火温度、退火时间、辐照方法等因素对晶体管hFE值(电流放大倍数)的影响。结果表明,电子束辐照能有效地降低晶体管hFE值,并能通过退火处理使其稳定。 The effect of radiation dose, dose rate, annealing temperature, annealing time and irradiation method on the hFE value of the transistor (current magnification) was studied. The results show that the electron beam irradiation can effectively reduce the hFE value of the transistor, and can be annealed to make it stable.
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