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中国科学院微电子研究所的研究人员在阻变存储器（RRAM）高密度集成研究方面取得新进展，提出了一种与互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺完全兼容、具有高均一性的高性能选通器件，为两端结构电阻型存储器的高密度三维集成提供了解决方案。
中科院阻变存储器高密度集成研究获进展
【摘 要】
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中国科学院微电子研究所的研究人员在阻变存储器（RRAM）高密度集成研究方面取得新进展，提出了一种与互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺完全兼容、具有高均一性的高性能选通器件，为两端
【出 处】
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军民两用技术与产品
【发表日期】
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2017年1期
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